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半导体工艺中电介质薄膜的应用

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考题 压电材料是()材料。A.绝缘B.导体C.半导体D.电介质材料

考题 下列薄膜中,()是覆膜工艺中较理想的复合材料。A、PVcB、BOPPC、PED、PET

考题 薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体

考题 在半导体工艺中,硫酸常用于去除()和配制()等。

考题 下面哪一种薄膜工艺中底材会被消耗()。A、薄膜沉积B、薄膜成长C、蒸发D、溅射

考题 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。A、使薄膜的介电常数变大B、可能引入杂质C、可能使薄膜层间短路D、使薄膜介电常数变小E、可能使薄膜厚度增加

考题 简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?

考题 霍尔传感器在实际应用中,由于半导体的固有特性和制造工艺的缺陷,造成测量中会引起()误差和()误差,需要对其进行补偿。

考题 半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?

考题 按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用

考题 按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

考题 集成电路按照制造工艺可分为()。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路

考题 ()的存储介质有别于其他移动存储器的磁介质和光介质,为半导体电介质。A、软盘B、光盘C、优盘D、硬盘

考题 在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容

考题 三种薄膜蒸发器中()薄膜蒸发器目前应用范围较广

考题 压电材料是()材料。A、绝缘B、导体C、半导体D、电介质材料

考题 应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型

考题 单选题薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。A 多晶体B 非晶体C 砷化镓D 单晶体

考题 填空题在挤出吹塑薄膜成型中,按照薄膜的牵引方向不同,挤出吹塑薄膜生产工艺可以分为()、()和()。

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考题 问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。

考题 问答题等离子体工艺在半导体制造中的应用

考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 单选题关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。A 自由电子、空穴、位于晶格上的离子B 无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质C 对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质D 对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

考题 问答题半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?

考题 单选题()的存储介质有别于其他移动存储器的磁介质和光介质,为半导体电介质。A 软盘B 光盘C 优盘D 硬盘