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单选题
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（）
A

0.886J

B

0.886eV

C

886J

D

886eV

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参考解析
解析： 暂无解析
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考题 已知某企业某种产品市场占有率为5%，该产品市场占有份额最大者的市场占有率为25%，则本企业该产品相对市场占有率为（）。A、0.25B、0.05C、0.2D、0.15
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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考题 已知铸铁带轮与轴用平键联接，则该键联接的强度主要取决于（）的挤压强度。A、带轮材料B、轴的材料C、键的材料
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考题 光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg
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考题 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。A、1.12B、2.14C、1.42D、0.92
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
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考题 单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A 金属；B 杂质半导体；C 绝缘体；D 本征半导体；
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考题 单选题某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能ΔEi为（）A 0.095JB 0.095eVC 9.5×104JD 9.5×104eV
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考题 判断题波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。A 对B 错
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考题 判断题本征光电导器件的长波限可以达到130um。A 对B 错
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考题 判断题若金属溢出功为W，则长波限为1.24/W（nm）。A 对B 错
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考题 多选题光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（）A光电阳极材料B光电阴极材料C窗口材料D倍增级材料
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 判断题杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。A 对B 错
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考题 判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A 对B 错
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考题 判断题可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。A 对B 错
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考题 单选题光电倍增管的短波限和长波限由什么因素决定？（）A 光电阴极材料、倍增级材料和窗口材料B 光电阴极材料和倍增级材料C 窗口材料和倍增级材料D 光电阴极材料和窗口材料
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考题 单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A 禁带较窄B 禁带较宽C 禁带是间接跃迁型D 禁带是直接跃迁型
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考题 填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
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考题 填空题已知某点的经度为115°30′，则该点位于6°带第（）带。
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考题 多选题光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（）A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D自由载流子吸收E晶格吸收
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考题 单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。A 0.886eVB 1eVC 2eVD 1.3eV
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考题 单选题光电发射材料K2CsSb射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）A 1.82×103JB 1.82×103eVC 1.82JD 1.83eV
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