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单选题
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为()。
A
0.886eV
B
1eV
C
2eV
D
1.3eV
参考答案
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解析:
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考题
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称();相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。相应的器件如光电池、光电仪表。
考题
单选题已知某种粉尘的粒径分布符合对数正态分布,且几何标准差为1.4,个数中位径为21.5μm,则其表面积平直径为()。A
29.2μmB
27.3μmC
24.1μmD
21.5μm
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