考题
双晶片联合探头，由于盲区小，因此有利（）缺陷的探测。
考题
双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于（）缺陷的探测。
考题
联合双直探头有（）块压电晶片，在电路上和声路上（），晶片前装有（），此种探头有盲区（），有助于（）的检出
考题
减小探头盲区的方法主要是采用直径小的晶片制作探头。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
减小探头育区的方法有（）A、采用小晶片B、减少激发脉冲宽度和减少换能器自由振荡时间C、采用低频晶片D、采用方晶片
考题
提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）A、用TR探头B、使用窄脉冲宽频带探头C、提高探头频率，减小晶片尺寸D、以上都是
考题
聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
考题
为了减小探头盲区，主要是减少激发电脉冲的宽度和减小换能器自由特征振落时间。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而减小D、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
判断题减小探头盲区的方法主要是采用直径小的晶片制作探头。A
对B
错
考题
判断题双晶片联合探头，由于盲区较小，因此有利于近表面缺陷的探测。A
对B
错
考题
填空题双晶片联合探头，由于盲区小，因此有利（）缺陷的探测。
考题
判断题实际检测中，检测面积大的工件时，为了提高检测效率宜采用小晶片探头。A
对B
错
考题
判断题探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。A
对B
错
考题
判断题检验近表面缺陷时，最好采用联合双晶探头是因为该探头晶片前面带有机玻璃延迟块，减小了纵波单晶探头存在的阻塞。A
对B
错
考题
判断题为了减小探头盲区，主要是减少激发电脉冲的宽度和减小换能器自由特征振落时间。A
对B
错
考题
判断题当晶片厚度一定时，选择不同的压电材质所制作的探头频率也不同。A
对B
错
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A
频率增加、晶片直径减小而减小B
频率或直径减小而增大C
频率或直径减小而增大D
频率增加、晶片直径减小而增大
考题
填空题聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
考题
判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A
对B
错
考题
单选题减小探头育区的方法有（）A
采用小晶片B
减少激发脉冲宽度和减少换能器自由振荡时间C
采用低频晶片D
采用方晶片
考题
填空题联合双直探头有（）块压电晶片，在电路上和声路上（），晶片前装有（），此种探头有盲区（），有助于（）的检出
考题
判断题对于表面不太平整，曲率较大的工件，为了减小耦合损失，宜选用大晶片探头。A
对B
错