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晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。

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考题 如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭
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考题 晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
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考题 晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
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考题 晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
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考题 门极触发电流在室温下，阳极电压直流为（）时，是晶闸管由断态转入通态所必需的门极电流。A、5VB、6VC、12VD、24V
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考题 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
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考题 下面不属于超导态临界条件的是（）。A、临界温度；B、临界磁场；C、临界电流；D、临界磁导率。
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考题 可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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考题 由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
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考题 造成晶闸管误导通的主要原因有（）。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
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考题 晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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考题 双向晶闸管承受（）的能力较低。A、电压上升率B、电压下降率C、电流上升率D、电流下降率
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考题 晶闸管在正向阳极电压作用下，当（）加入适当的信号时，可使晶闸管由断态变为通态。
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考题 晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV）  E、维持电流IH
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考题 晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）A、维持电流B、擎住电流C、浪涌电流D、额定电流
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考题 晶闸管元件由断态到通态，脉冲切除后，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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考题 为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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考题 为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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考题 试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题 晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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考题 通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通
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考题 晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压
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考题 问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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考题 单选题晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）A 维持电流B 擎住电流C 浪涌电流D 额定电流
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考题 问答题为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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考题 填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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考题 填空题晶闸管在正向阳极电压作用下，当（）加入适当的信号时，可使晶闸管由断态变为通态。
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考题 填空题晶闸管元件由断态到通态，脉冲切除后，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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