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简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
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考题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()A、体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
考题
CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()A
P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
考题
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。A
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工,而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工;B
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工,而面刻蚀加工对衬底材料进行加工;C
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构,而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构;
考题
问答题什么是干法刻蚀?什么是湿法刻蚀?比较二者的优缺点。
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