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栅氧化层电容

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考题 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
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考题 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A、栅氧化层B、沟槽C、势垒D、场氧化层
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考题 长容栅的可动容栅栅极数增加，则其最大电容量（）A、增大B、减小C、不变D、不能确定
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考题 在机车上常用的灭弧装置中，（）装置是利用电容充、放电原理进行灭弧。A、角灭弧B、电磁灭弧C、电容灭弧D、栅片熄弧
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考题 搁栅层工程质量的通病。
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考题 判断题在铅酸蓄电池中，正极板栅比负极板栅厚，原因之一是在充电时，特别是在过充电时，正极板栅要遭到腐蚀，逐渐被氧化成二氧化铅而失去板栅的作用，为补偿其腐蚀量必须加粗加厚正极板栅。A 对B 错
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考题 单选题长容栅的可动容栅栅极数增加，则其最大电容量（）A 增大B 减小C 不变D 不能确定
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考题 单选题绝缘栅双极晶体管属于（）型器件。A 电阻B 电压C 电流D 电容
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考题 填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
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考题 填空题CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。
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