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名词解释题
耗尽型NMOS管

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考题 耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 ()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
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考题 功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
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考题 什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
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考题 增强型NMOS管
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 耗尽型场效应管中，用Vp表示（）电压。
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考题 当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 耗尽型NMOS管
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A 积累B 耗尽C 导通D 夹断
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考题 名词解释题耗尽区
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考题 问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。A 对B 错
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考题 单选题NMOS器件的衬底是（）型半导体。A N型B P型C 本征型D 耗尽型
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考题 判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 名词解释题增强型NMOS管
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考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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考题 单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A 大于零B 等于零C 大于0.7VD 小于零
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考题 名词解释题耗尽型JFET
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