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问答题
化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？
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考题
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A、物理气相沉积（PVD）B、物理气相沉积（CVD）C、化学气相沉积（VCD）D、化学气相沉积（CVD）
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A
物理气相沉积（PVD）B
物理气相沉积（CVD）C
化学气相沉积（VCD）D
化学气相沉积（CVD）
考题
单选题关于CVD涂层，（）描述是不正确的。A
CVD表示化学气相沉积B
CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C
CVD涂层具有高耐磨性D
CVD对高速钢有极强的粘附性
考题
名词解释题化学气相沉积（CVD）
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