考题
在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()
考题
本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
考题
本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。()
此题为判断题(对，错)。
考题
一般情况下,本征半导体导电是依靠本征激发作用的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？
考题
本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
考题
本征离子电导的导电离子（载流子）主要由什么缺陷提供？其载流子浓度：n＝Nexp（E/2kT）中E的物理意义是什么？
考题
一般情况下，本征半导体导电是依靠本征激发作用的。
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）；相反少数载流子是（），掺杂越多，则其数量越（）。
考题
本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（），相反，少数载流子应是（），掺杂越多，则其数量一定越（）。
考题
本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是（），少数载流子应是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
什么叫半导体？什么叫空穴？什么叫本征半导体？
考题
问答题什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
考题
判断题一般情况下，本征半导体导电是依靠本征激发作用的。A
对B
错
考题
单选题能发生光电导效应的半导体是（）A
本征型和激子型B
本征型和晶格型C
本征型和杂质型D
本征型和自由载流子型
考题
判断题本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。A
对B
错
考题
单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A
本征吸收B
杂质吸收C
激子吸收D
晶格吸收
考题
判断题本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。A
对B
错