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烧结温度

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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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考题 烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。
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考题 固相烧结采用的烧结温度为:______。
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考题 金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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考题 烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。此题为判断题(对，错)。
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度
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考题 关于烤瓷冠瓷层透明度描述正确的为A、与烧结的次数无关B、烧结温度偏高较好C、随着烧结次数的增加而提高D、随着烧结次数的增加而降低E、烧结温度偏低较好
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考题 生料加热煅烧控制所必须的最少的液相量时的温度叫（）。A、开始烧结温度B、烧结温度C、要求烧结温度
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
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考题 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。（）
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考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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考题 上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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考题 烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的（）温度。A、软化B、结晶C、再结晶
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考题 烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。
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考题 烧结矿中薄壁大气孔结构产生产原因是生成（）。A、烧结温度太低B、烧结温度太高C、焦粉配比太多D、液相量太多
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考题 名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
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考题 简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
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考题 坯料按成熟温度分为（）、烧结温度。
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考题 试解释粘土的烧结温度和烧结范围。
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考题 烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。
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考题 问答题简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。
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考题 单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A 低于体瓷烧结温度5℃B 低于体瓷烧结温度10℃C 高于体瓷烧结温度5℃D 高于体瓷烧结温度10℃E 以上均不正确
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考题 填空题烧结温度至（）之间的温度区间称为烧结温度范围。
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考题 问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
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