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烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持
A、18～20min
B、15～17min
C、11～13min
D、5～10min
E、2～4min
参考答案
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考题
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
考题
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
考题
单选题烤瓷合金的预氧化是在除气的基础上，再加热至预定的终点温度，在非真空下继续维持（ ）。A
18～20minB
15～17minC
11～13minD
5～10minE
2～4min
考题
单选题非贵金属烤瓷桥修复，金属基底预氧化应在除气的基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持的时间为（ ）。A
1minB
2minC
3minD
4minE
5min
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