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4、MOS场效应晶体管(MOSFET)与集成电路的飞速发展有什么关系?


参考答案和解析
电力场效应晶体管MOSFET是一种单极型大功率晶体管,属于电压控制型元件。其主要优点是基本上无二次击穿现象,开关频率高,输入阻抗大,易于并联和保护,其缺点是导通压降较大,限制了其电流容量的提高。
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考题 下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种

考题 列举FET、MOSFET、集成电路的焊接注意事项是什么?

考题 在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。

考题 单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

考题 电力场效应晶体管具有自关断能力,而且具有()、可以直接与数字集成电路连接.

考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

考题 电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?

考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。

考题 常用的电子开关有()。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管

考题 MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

考题 下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A 电压B 电流C 电阻D 功率

考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

考题 问答题双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?

考题 填空题一般认为MOS集成电路功耗低、(),宜用作数字集成电路。

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A 直流B 低频C 中频D 高频

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、()型。

考题 填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型:()、()、P沟增强型、P沟耗尽型。

考题 问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?

考题 问答题什么是掩模?掩模与集成电路制造有什么关系?制做掩模的数据从哪儿来?

考题 单选题MOS场效应管的英语缩写是()。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”