网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

增强型绝缘栅场效应管，开始形成导电沟道时的栅源电压称为 。

参考答案和解析
错误
更多 “增强型绝缘栅场效应管，开始形成导电沟道时的栅源电压称为 。” 相关考题
考题 增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
查看答案
考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
查看答案
考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
查看答案
考题 对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
查看答案
考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
查看答案
考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
查看答案
考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
查看答案
考题 场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
查看答案
考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
查看答案
考题 场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
查看答案
考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
查看答案
考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
查看答案
考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
查看答案
考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
查看答案
考题 场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
查看答案
考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
查看答案
考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
查看答案
考题 绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
查看答案
考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
查看答案
考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
查看答案
考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
查看答案
考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
查看答案
考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
查看答案
考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
查看答案
热门标签
最新试卷