考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。
A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
二极管的基本特性是（）；当温度升高时，二极管的正向压降会减小。
考题
硅二极管的正向压降是（）。A、0.7VB、0.2VC、1V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
考题
二极管在正向电压作用下处于（）状态。如果不计二极管的正向压降，它相当于开关处于（）状态。
考题
利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
考题
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A
1VB
0.2VC
0.6V
考题
单选题使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏，当二极管正接时显示的数值为二极管的（）值。A
正向电阻B
正向电流C
正向压降D
正向管耗
考题
单选题硅二极管的正向压降是（）。A
0.7VB
0.2VC
1V
考题
单选题功率二极管的正向压降Ud约为（）。A
0.7VB
3VC
4VD
5V
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
