考题
某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是()
A、NPN型的硅管B、NPN型的锗管C、PNP型的硅管D、PNP型的锗管
考题
在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管
考题
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0.2V、VCE = 4V，则这只三极管为( )。A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管
考题
某放大电路中，测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V，则这只三极管是（ ）。
A．NPN型锗管
B．NPN型硅管
C．PNP型锗管
D．PNP型硅管
考题
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
考题
在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）A、NPN型硅管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、PNP型锗管
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
考题
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
考题
若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（）。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管
考题
多选题晶体管的PN结的正向压降为（）。A锗管为0.3V左右B锗管为0.7V左右C硅管为0.3V左右D硅管为0.7V左右
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错