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功率晶体管的二次击穿现象表现为（)

A．从高电压小电流向低电压大电流跃变

B．从低电压大电流向高电压小电流跃变

C．从高电压大电流向低电压小电流跃变

D．从低电压小电流向高电压大电流跃变

参考答案和解析
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更多 “功率晶体管的二次击穿现象表现为（)A．从高电压小电流向低电压大电流跃变B．从低电压大电流向高电压小电流跃变C．从高电压大电流向低电压小电流跃变D．从低电压小电流向高电压大电流跃变” 相关考题
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考题 功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿触发功率线
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考题 （）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。
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考题 电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
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考题 用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
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考题 下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
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考题 功率场效应晶体管的特点是：（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
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考题 单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
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考题 填空题（）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。
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考题 单选题电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截止
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考题 判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A 对B 错
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考题 单选题功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A 基极最大允许直流功率线B 基极最大允许电压线C 临界饱和线D 二次击穿功率线
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