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什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?


参考答案和解析
当外加电压很低时,由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,使正向电流很小,几乎为零。当正向电压超过一定值后,内电场被大大削弱,电流增加很快,这一定数值的电压称为死区电压。
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考题 锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

考题 一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

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考题 什么是二极管伏安特性曲线上的死区电压?

考题 二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2,0.7B. 0.5,0.2C. 0.7, 1.0

考题 硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

考题 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 硅管与锗管的死区电压分别为()。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5

考题 硅二极管的死区电压约为()。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

考题 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

考题 锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V

考题 要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

考题 锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。

考题 二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

考题 硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。

考题 什么是二极管的死区电压?它是如何产生的?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?

考题 硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为()A、0.6V;0.6VB、0.6V;0.1VC、0.1V;0.6VD、0.1V;0.1V

考题 硅材料二极管的死区电压为0.3V。

考题 硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?

考题 填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。

考题 判断题锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。A 对B 错

考题 问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?