网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

8、若要使PMOS开启，则栅源之间加 电压，半导体表面能带 ，反型后形成 沟道。

A．正，下弯，n型

B．负，上弯，n型

C．负，上弯，p型

D．负，下弯，p型

参考答案和解析
负，上弯， p 型
更多 “8、若要使PMOS开启，则栅源之间加 电压，半导体表面能带 ，反型后形成 沟道。A．正，下弯，n型B．负，上弯，n型C．负，上弯，p型D．负，下弯，p型” 相关考题
考题 增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
查看答案
考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
查看答案
考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
查看答案
考题 耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
查看答案
考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
查看答案
考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。
查看答案
考题 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。
查看答案
考题 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
查看答案
考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
查看答案
考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
查看答案
考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
查看答案
考题 N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
查看答案
考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
查看答案
考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
查看答案
考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
查看答案
考题 （）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管；B、晶体三极管；C、场效应晶体管；D、双向晶闸管。
查看答案
考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
查看答案
考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
查看答案
考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
查看答案
考题 单选题（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。A 半导体二极管；B 晶体三极管；C 场效应晶体管；D 双向晶闸管。
查看答案
考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
查看答案
考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
查看答案
考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
查看答案
考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
查看答案
考题 填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
查看答案
热门标签
最新试卷