网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

FeCl3（aq)可用来刻蚀铜板，下列叙述中错误的是

A．生成了Fe和Cu2+

B．生成了Fe2+和Cu2+

C．φө (Fe3+/Fe2+)＞φθ(Cu2+/Cu)

D．φө (Fe3+/Fe)＞φθ(Cu2+/Cu)

参考答案和解析
生成了Fe和Cu 2+
更多 “FeCl3（aq)可用来刻蚀铜板，下列叙述中错误的是A．生成了Fe和Cu2+B．生成了Fe2+和Cu2+C．φө (Fe3+/Fe2+)＞φθ(Cu2+/Cu)D．φө (Fe3+/Fe)＞φθ(Cu2+/Cu)” 相关考题
考题 刻蚀方法有哪些?() A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是
查看答案
考题 一块铜板垂直于磁场方向放在磁感强度正在增大的磁场中时，铜板中出现的涡流（感应电流）将（ ）。A.加速铜板中磁场的增加 B.减缓铜板中磁场的增加 C.对磁场不起作用 D.使铜板中磁场反向
查看答案
考题 磁性测厚仪，用来测量（）底板上的涂膜厚度。A、铝板B、铜板C、塑料D、钢铁
查看答案
考题 反应离子腐蚀是（）。A、化学刻蚀机理B、物理刻蚀机理C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
查看答案
考题 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
查看答案
考题 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。A、ARC可以是硅的氮化物B、可用干法刻蚀除去C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成
查看答案
考题 下列对悬架的叙述错误的是（）A、悬架用来连接车桥和车架；B、可实现缓冲减振；C、悬架都具有弹性D、可传递动力
查看答案
考题 下列实验可以用来区别NaBr（aq）和NaI（aq）的是（）。A、分别通入CO2B、分别通入Cl2C、分别加入NaNO3（aq）D、分别加入K（s）
查看答案
考题 下列关于FeCl3性质的叙述中正确的是（）A、FeCl3是离子化合物B、气态时以氯化铁分子存在C、可用加热FeCl3·6H2O脱去结晶水的方法制取无水氯化铁D、Fe3+是一种中间氧化态.既可被氧化又可被还原
查看答案
考题 FeCl3（aq）可用来到蚀铜板。下列叙述中错误的是（）A、生成了Fe和Cu2+B、生成了Fe2+和Cu2+C、EΘ（Fe3+/Fe2+）＞EΘ（Cu2+/Cu）D、EΘ（Fe3+/Fe）＞EΘ（Cu2+/Cu）
查看答案
考题 有关二极管的叙述中错误的是（）。A、可用来进行整流B、可用来进行限幅C、可用来稳压D、可用来放大
查看答案
考题 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
查看答案
考题 一块铜板放在磁感应强度正在增大的磁场中时，铜板中出现涡流（感应电流），则涡流将（）。A、加速铜板中磁场的增加B、减缓铜板中磁场的增加C、对磁场不起作用D、使铜板中磁场反向
查看答案
考题 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
查看答案
考题 （）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A、刻蚀速率B、刻蚀深度C、移除速率D、刻蚀时间
查看答案
考题 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
查看答案
考题 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A、刻蚀速率B、选择性C、各向同性D、各向异性
查看答案
考题 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
查看答案
考题 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
查看答案
考题 下列金属板最不容易镀锡的是（）A、紫铜板B、铝板C、黄铜板D、镀锡板
查看答案
考题 一块铜板垂直于磁场方向放在磁感强度正在增大的磁场中时，铜板中出现的涡流（感应电流）将（）A、加速铜板中磁场的增加B、减缓铜板中磁场的增加C、对磁场不起作用D、使铜板中磁场反向
查看答案
考题 单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A a.离子束刻蚀、激光刻蚀B b.干法刻蚀、湿法刻蚀C c.溅射加工、直写加工
查看答案
考题 单选题下列对悬架的叙述错误的是（）A 悬架用来连接车桥和车架；B 可实现缓冲减振；C 悬架都具有弹性D 可传递动力
查看答案
考题 问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
查看答案
考题 填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
查看答案
考题 判断题在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A 对B 错
查看答案
考题 单选题化学与日常生活密切相关，下列说法错误的是（）。A 装饰材料释放的甲醛会造成污染B 浓硫酸可刻蚀石英制艺术品C 碘酒是由碘、碘化钾溶解于酒精溶液而制成D 纯碱可以用来清洁油污
查看答案
考题 单选题下列试剂中不能与FeCl3溶液反应的是（　　）。A FeB CuC KID SnCl4
查看答案
热门标签
最新试卷