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在UO2+x晶体中，当氧分压不变时，温度增加，缺陷浓度 ，晶体密度 。

A．增加，增加

B．增加，降低

C．降低，降低

D．降低，增加

参考答案和解析
增加
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考题 晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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考题 简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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考题 填空题晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）；而有Schtty缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，（）是主要的；两种离子半径相差大时，（）是主要的。
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考题 填空题晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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考题 单选题当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）A 杂质缺陷B 热缺陷C 点缺陷D 面缺陷
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考题 单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。A 增加B 不变C 降低
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