网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
问答题
一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
参考答案
参考解析
解析：
暂无解析
更多 “问答题一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？” 相关考题
考题
有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
考题
用64K×8的RAM芯片和32K×16的ROM芯片设计一个256K×16的存储器，地址范围为00000H～3FFFFH，其中ROM的地址范围为10000H～1FFFFH，其余为RAM的地址。则地址线为(1)根，数据线为(2)根；ROM需要(3)片，RAM需要(4)片。CPU执行一段程序时，Cache完成存取的次数为5000次，主存完成存取的次数为200次。已知Cache的存取周期为40ns，主存的存取周期为160ns。其两级存储器的平均访问时间为(5)ns。A．18B．9C．16D．8
考题
现有容量为256BX4的RAM，回答案：(1)该RAM应有多少条地址线？(2)该RAM含有多少个字？其字长是多少位？( )A.8，256，4
B.8，256，8
C.4，256，8
D.8，128
考题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
考题
某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384
考题
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
问答题已知有16K×1的DRAM芯片，其引脚功能如下：地址输入A6～A0，行地址选择RAS，列地址选择CAS，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器，采用奇偶校验。试问：若芯片内部采用128×128矩阵排列，求异步刷新时该存储器的刷新间隔。
考题
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
单选题动态RAM芯片2164的容量为64K位（256×256），对2164芯片的刷新方法是（）。A
每次刷新1个单元B
每次刷新256个单元C
每次刷新512个单元D
一次刷新全部单元
考题
单选题某机器的主存储器共32KB，由16片16K×1位（内部采用128×128存储阵列）的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式，且刷新周期为2ms，那么所有存储单元刷新一遍需要（）个存储周期。A
128B
256C
1024D
16384
热门标签
最新试卷
