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问答题
杂质在硅中的扩散方式有哪些？

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考题 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。A、填隙扩散B、杂质扩散C、推挤扩散D、自扩散
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考题 He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。A、活跃杂质B、快速扩散杂质C、有害杂质D、扩散杂质
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考题 填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中，杂质在体内满足（）函数分布。
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考题 填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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考题 单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A  激活杂质后B  一种物质在另一种物质中的运动C  预淀积D  高温多步退火
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考题 填空题热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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考题 判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A 对B 错
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考题 问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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考题 判断题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。A 对B 错
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考题 单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A ②④B ①③C ①④D ②③
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考题 判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A 对B 错
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考题 问答题杂质在硅中有哪些扩散机制？
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考题 填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
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考题 判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A 对B 错
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