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单选题
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()。
A

电子束曝光技术

B

离子束曝光技术

C

X射线曝光技术


参考答案

参考解析
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考题 下列5个能量选项中,哪些可能在光刻加工的曝光工艺中应用() A.电子束B.离子束C.激光束D.超声波E.等离子体

考题 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?

考题 有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。A、负胶受显影液的影响比较小B、正胶受显影液的影响比较小C、正胶的曝光区将会膨胀变形D、使用负胶可以得到更高的分辨率E、负胶的曝光区将会膨胀变形

考题 在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

考题 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?

考题 光刻加工的工艺过程为()A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

考题 下列切削加工中属于超精密加工的是()。A、金刚石超精密车削B、光刻加工C、超声研磨D、激光加工

考题 微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。

考题 光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术

考题 单选题微传感器的加工工艺不包括()。A 光刻技术B HARQ技术C 半导体掺杂技术D LIGA技术

考题 问答题光刻的曝光方式有几种?各有何特点?

考题 问答题光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处?

考题 填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

考题 单选题光刻加工的工艺过程为:()A ①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C ①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

考题 问答题光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?

考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A 对B 错

考题 问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。

考题 问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求?

考题 判断题先进集成电路加工中,主要采用投影式光刻曝光技术。A 对B 错

考题 判断题曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径,那么在提高光刻分辨率的同时,投影物镜的焦深也会急剧减小,因此在分辨率和焦深之间必须折衷。A 对B 错

考题 问答题常见的光刻对准曝光设备有?

考题 填空题光刻的图形曝光方式有:接触式曝光、接近式曝光和()曝光。

考题 单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()。A 电子束曝光技术B 离子束曝光技术C X射线曝光技术

考题 填空题微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。

考题 问答题列出4种曝光技术,并说明那种分辨率最高,说明各种曝光技术的优缺点。

考题 问答题什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。

考题 问答题光刻加工技术的基本过程通常包括哪些步骤?

考题 多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀