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以下材料中，属于直接禁带半导体的是？

A．GaAs

B．Si

C．Ge

D．GaP

参考答案和解析
GaAs
更多 “以下材料中，属于直接禁带半导体的是？A．GaAsB．SiC．GeD．GaP” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 以下属于台湾禁忌的是( )．A．禁送菊花B．禁送粽子C．禁送核桃D．禁送镜子
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考题 以下材料中,不属于建筑“三材”的是()。 A、钢材B、水泥C、混凝土D、木材
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考题 以下说法正确的是_______。A.P型半导体带正电B.N型半导体带正电C.PN结为电的中性体D.PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 以下关于带钢板型的说法正确的是（）A、板带材平直度的简称B、板形的好坏是指板带材横向各部位是否产生波浪或折皱C、决定于板带材沿轧制方向的延伸是否相等D、决定于板带材沿宽度方向的延伸是否相等
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 以下属于台湾禁忌的是（）。A、禁送菊花B、禁送粽子C、禁送核桃D、禁送镜子
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考题 P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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考题 以下哪种不属于常用辅材（）A、玻璃胶B、油漆笔C、润滑油D、扎带
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考题 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 单选题材料的禁带宽度，最大的是（）A 金属；B 杂质半导体；C 绝缘体；D 本征半导体；
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 单选题如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。A 大于B 等于C 小于D 有效的复合中心
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 问答题解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 多选题以下属于台湾禁忌的是（　　）。A禁送菊花B禁送粽子C禁送核桃D禁送镜子E禁送扇子
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考题 单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A 禁带较窄B 禁带较宽C 禁带是间接跃迁型D 禁带是直接跃迁型
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 多选题以下属于台湾禁忌的是（）。A禁送菊花B禁送粽子C禁送核桃D禁送镜子
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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考题 填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。
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考题 问答题直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。
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