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目前,随着集成电路的发展趋势,其特征尺寸已由深亚微米0.180.25um)进入到了纳米量级(35~50nm, 16nm),甚至10nm以下。


参考答案和解析
摩尔
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考题 在《外商投资产业指导目录》(2017年修订)中,不属于鼓励外商投资的产业为()。 A.TFT-LCD、PDP、OLED等平板显示屏B.6代及6代以下TFT-LCD玻璃基板C.线宽28纳米及以下大规模数字集成电路制造D.0.11微米及以下模拟、数模集成电路制造

考题 目前光纤通信使用的波长范围是在近红外区内,即波长为( )。A.8纳米—18纳米B.108纳米—180纳米C.0.8微米—1.8微米D.10微米—18微米

考题 纳米:一种几何尺寸的度量单位。1纳米为百万分之一的毫米,即1毫微米,也就是十亿分之一米。纳米结构通常是指尺寸在100纳米以下的微观结构。 下列关于纳米正确表述的一项是( ) A.纳米是一种长度单位 B.十万纳米等于1分米 C.纳米是一种非常先进的技术,现已被广泛应用于生产生活的许多领域 D.纳米通常是指尺寸非常微小的结构

考题 扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片最大位移量在()。A、微米数量级B、毫米数量级C、厘米数量级D、纳米数量级

考题 目前批量产品的特征尺寸已经降低到45纳米,在一块中等尺寸的芯片上可集成数十亿个晶体管。

考题 细菌的外形尺寸在()范围内。A、皮米级B、纳米级C、微米级D、毫米级

考题 超精密加工包括了所有能使零件成形、位置和尺寸精度到微米和亚微米范围的机械加工方法。

考题 集成电路产品的发展趋势是()A、集成度越来越高B、特征尺寸越来越小C、片上系统日益完善D、以上都是

考题 20世纪下半叶,科学家发现了多种新材料,其中纳米材料是指这种材料的()尺寸在纳米量级。

考题 线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标,目前芯片制造的主流技术中线宽为()。A、几个微米B、几个纳米C、50纳米左右D、100纳米左右

考题 谱带半宽度:紫外区-可见区10nm以下;近红外区50nm以下;远红外区0.1μm以下。

考题 集成电路由()、()、()等组成,集中制造在一个芯片上,目前的超大规模集成电路芯片,其制造工艺已达到()微米级程度。

考题 以下单位最小的是()。A、厘米B、毫米C、微米D、纳米

考题 单选题细菌的外形尺寸在()范围内。A 皮米级B 纳米级C 微米级D 毫米级

考题 单选题线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标,目前芯片制造的主流技术中线宽为()。A 几个微米B 几个纳米C 50纳米左右D 100纳米左右

考题 填空题集成电路由()、()、()等组成,集中制造在一个芯片上,目前的超大规模集成电路芯片,其制造工艺已达到()微米级程度。

考题 问答题在微米或纳米量级上观察样品的表面形貌可以用什么方法?

考题 问答题亚微米、深亚微米和纳米的具体范围是多少?

考题 填空题Al栅CMOS的极限特征尺寸是(),在6微米以下,一般采用()工艺

考题 填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为()的g线和()的i线,适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用()的KrF和()的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

考题 填空题20世纪下半叶,科学家发现了多种新材料,其中纳米材料是指这种材料的()尺寸在纳米量级。

考题 问答题目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少?预计2016年能实现量产的特征尺寸是多少?

考题 多选题集成电路进入纳米尺寸时代后,将面临以下主要挑战:()。A漏电流增大导致总功耗增加B栅极氧化膜厚度接近物理极限C电路规模增大导致动态功耗增加D配线延迟不能相应降低从而影响性能

考题 填空题机械制造装备的精密化成为普遍的发展趋势,从微米级发展到亚微米级,乃至()。

考题 填空题当小颗粒尺寸进入纳米量级时,其本身和由它构成的纳米固体主要具有以下三个方面的效应:()、表面与界面效应和量子尺寸效应。

考题 问答题集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?

考题 单选题扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级,膜片最大位移量在()。A 微米数量级B 毫米数量级C 厘米数量级D 纳米数量级

考题 判断题谱带半宽度:紫外区-可见区10nm以下;近红外区50nm以下;远红外区0.1μm以下。A 对B 错