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3、若溶液中存在能够生成混晶的杂质离子，避免生成混晶的方法是

A．搅拌

B．加热

C．洗涤

D．事先除去杂质离子

参考答案和解析
事先除去杂质离子
更多 “3、若溶液中存在能够生成混晶的杂质离子，避免生成混晶的方法是A．搅拌B．加热C．洗涤D．事先除去杂质离子” 相关考题
考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
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考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
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考题 再热裂纹的特性之一是() A、沿晶断裂B、穿晶断裂C、沿晶+穿晶断裂D、混晶断裂
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附
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考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对，错)。
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考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。
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考题 由一种阳离子和两种酸根阴离子组成的盐称为混盐，混盐Na4S2O3在酸性条件下可以产生S。下列关于混盐Na4S2O3的判断不正确的是（）。A、该混盐与稀硫酸反应产生1molS时转移2NA个电子B、该混盐的水溶液呈碱性C、该混盐溶液中加入BaCl2溶液，可以生成白色沉淀D、该混盐中硫元素的化合价为-2和+4
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考题 焊拉之头中结晶裂纹的开裂形式是（）A、沿晶B、穿晶C、混晶
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附
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考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
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考题 共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
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考题 在结晶器中结晶出来的晶体和剩余的溶液所构成的混悬物称为晶浆。
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
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考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。
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考题 下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
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考题 下列哪种情况是均匀沉淀法不能达到的目的（）A、避免局部过浓B、沉淀均匀、缓慢的析出C、生成颗粒粗大的沉淀D、防止生成混晶共沉淀
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考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
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考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
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考题 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
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考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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考题 单选题由一种阳离子和两种酸根阴离子组成的盐称为混盐，混盐Na4S2O3在酸性条件下可以产生S。下列关于混盐Na4S2O3的判断不正确的是（）。A 该混盐与稀硫酸反应产生1molS时转移2NA个电子B 该混盐的水溶液呈碱性C 该混盐溶液中加入BaCl2溶液，可以生成白色沉淀D 该混盐中硫元素的化合价为-2和+4
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考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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考题 单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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