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光生伏特效应是利用光照条件下载流子在p-n结区附近产生一个正向电压


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考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

考题 利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。 A、LEDB、LDC、PIND、APD

考题 当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

考题 光生伏特效应如何产生?

考题 受光照射的物质在一定方向产生电势的现象叫()A、外光电效应B、光生伏特效应C、内光电效应D、光电磁效应

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于

考题 当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、多数载流子

考题 在PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,又有少数载流子D、不一定

考题 光电二极管在正向电压下工作,PN结在光线照射下产生光生载流子,,它们参加导电会增大饱和电流。

考题 了解PN结正向电压—电流特性;多子与少子;非平衡少数载流子注入;正向电流(电池的暗电流)及方向。

考题 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

考题 光生电流包括()。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时,PN结输出电流

考题 在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

考题 光生伏特效应是指在光线作用下物体产生一定方向的电动势的现象,利用该效应可制成各类光电池。

考题 用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于D、小于或等于

考题 P-n结的特点:()、()、光生伏特效应

考题 单选题简述光生伏特效应中正确的是()A 用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;B p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C 平衡载流子破坏原来的热平衡;D 非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

考题 填空题在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的()向P区运动。

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于

考题 判断题光电二极管在正向电压下工作,PN结在光线照射下产生光生载流子,,它们参加导电会增大饱和电流。A 对B 错

考题 判断题光生伏特效应是光照引起P-N结两端产生电动势的效应。A 对B 错

考题 问答题为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光?而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应?

考题 多选题光伏探测器的响应时间主要由()因素决定。A光生载流子扩散到结区的时间B光生载流子的漂移时间C结电容和负载电阻决定的时间常数

考题 单选题当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对。在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负,这种效应称为光生伏特效应。A P区;B N区;C 结区;D 中间区。

考题 单选题当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的主要是()。A 不一定B 少数载流子C 既有多数载流子,又有少数载流子D 多数载流子

考题 单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负A P区B N区C 中间区D 结区

考题 单选题用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于D 小于或等于