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在直接带隙半导体中，电子吸收光子的能量，可以跃迁到导带。

参考答案和解析
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更多 “在直接带隙半导体中，电子吸收光子的能量，可以跃迁到导带。” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子，即()。A.带负电的自由电子B.带正电的自由电子C.带正电的空穴D.带负电的空穴
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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 在半导体中,自由电子带()电,空穴带()电。
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 在特定位置光子束对轨道电子的能量转移，不会导致在相同位置能量被介质吸收，这是因为（）A、光子强度B、光子能量C、次级电子有射程D、次级电子强度E、次级电子能量
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 在半导体中存在两种导电的带电粒子，即（）。A、带负电的自由电子B、带正电的自由电子C、带正电的空穴D、带负电的空穴
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考题 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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考题 宝石受到（）激发，发出可见光的性质叫（）.宝石吸收一部分能量后，原子中低能级的电子跃迁到高能级，在吸收光谱中（）带，但当电子从高能级（）时，（）出来，称之为发光.
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考题 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 多选题下列关于原子中电子的能级和跃迁，正确的有（）A原子内层的电子能量较低B电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子C电子从高能级跃迁到低能级时会吸收光子D发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差
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考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 单选题一个氢原子从n=3能级跃迁到n=2能级，该氢原子（）。A 放出光子，能量增加B 放出光子，能量减少C 吸收光子，能量增加D 吸收光子，能量减少
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考题 单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下，中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带，同样，中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带，这种吸收称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 单选题在外来光子的激发下，低能级El上的电子吸收了光子的能量h（）(=E2-El)而跃迁到高能级E2的过程称为（）A 自发辐射B 受激辐射C 受激吸收D 康普顿效应
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考题 单选题A 电子由n=2能级跃迁到n=1能级，放出光子为可见光B 大量氢原子处于n-4能级时，电子向低能级跃迁能发出6种频率的光子C 氢原子光谱是连续光谱D 氢原子处于n=2能级时，电子可吸收2.54eV的能量跃迁到高能级
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考题 问答题直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。
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