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(14) 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。()


参考答案和解析
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考题 晶体管放大器在有信号输入时,晶体管基极电压和电流增加,集电极电压和电流变化的情况是( )。 A、电压和电流均增加B、电压和电流均减小C、电压增加、电流减小D、电压减小、电流增加

考题 三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

考题 三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对,错)。

考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

考题 通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。()

考题 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

考题 晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对,错)。

考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

考题 三极管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。

考题 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。

考题 晶体管包含三个区:集电区,()和发射区。

考题 三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体,因此,可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。

考题 在共发射极放大电路中,集电极电阻Rc的主要作用是( )。A、输出端接负载时减小输出电阻B、将电流放大转变为电压放大C、将电压放大转变为电流放大D、避免集电极电流过大烧毁晶体管

考题 晶体管的电流分配关系是:发射极电流等于集电极电流和()。

考题 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的,所发射极和集电极可以互换。

考题 晶体管热噪声主要存在于()电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区

考题 当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度

考题 在共发射极放大电路中,增大基极电流时,三极管的集电极电流和电位将()。A、集电极电流增大,集电极电位升高B、集电极电流增大,集电极电位降低C、集电极电流减小,集电极电位升高D、集电极电流减小,集电极电位降低

考题 晶体管的电流分配关系是:发射极电流等于集电极电流和基极电流之和。

考题 通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。

考题 在小信号放大电路中,若把集电极和发射极对调使用,则晶体管的电流放大系数将()。A、增大B、减小C、为零D、不变

考题 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

考题 PNP型或NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用

考题 晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。

考题 在共发射极放大电路中,减小基极电流时,三极管的集电极电流和电位将()。A、集电极电流减小,集电极电位升高B、集电极电流减小,集电极电位降低C、集电极电流增大,集电极电位升高D、集电极电流增大,集电极电位降低

考题 晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。

考题 单选题在小信号放大电路中,若把集电极和发射极对调使用,则晶体管的电流放大系数将()。A 增大B 减小C 为零D 不变

考题 判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A 对B 错