考题
两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。
A、βB、β2C、2βD、1+β
考题
GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管
考题
晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
考题
有一个晶体管继电器电路,其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联,继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数β=50,要使继电器开始动作,晶体管的基极电流至少应为()。
考题
使用晶体管时,下列哪些额定值不能超过?()
A、电流放大系数βB、反向饱和电流ICBOC、反向击穿电压BUCEOD、耗散功率PCM
考题
晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(N型的或P型的)构成,故E极和C极可以互换使用。()
此题为判断题(对，错)。
考题
图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。：A、普通晶闸管B、电力场效应管C、门极可关断晶闸管D、绝缘栅双极晶体管
考题
晶体管管帽上的色点表示该晶体管的（）A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流
考题
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
考题
晶体管共发射极交流放大系数用（）表示。A、αB、βC、ρD、κ
考题
何为晶体管的电流放大作用，电流放大系数如何计算？
考题
共基极晶体管放大电路的电压放大系数是（）。A、βR’L/rbeB、-βR’L/rbeC、βD、-β
考题
温度对晶体管特性的影响主要包括以下哪些（）。A、UBEB、集电极、基极间的反向饱和电流ICBOC、放大系数β
考题
在小信号放大电路中，若把集电极和发射极对调使用，则晶体管的电流放大系数将（）。A、增大B、减小C、为零D、不变
考题
电流放大系数为β1和β2的两个晶体管构成等效复合晶体管，其等复合管的β值约为（）。A、β1B、β2C、β1+β2D、β1•β2
考题
晶体管的电流放大系数β是指（）A、工作在饱和区时的电流放大系数B、工作在放大区时的电流放大系数C、工作在截止区时的电流放大系数
考题
在基本共射放大电路中，为得到较高的输入电阻，在固定不变的条件下，晶体管的电流放大系数β应该尽可能大些。
考题
下列哪项不属于典型全控型器件？（）A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
考题
（）的英文缩写是GTR。A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
考题
交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
考题
以下哪一种方法不能用于实现自动增益控制（AGC）（）A、改变晶体管的直流工作状态，以改变晶体管的电流放大系数B、在放大器各级间插入电调衰减器C、用电控可变电阻作为放大器的负载D、利用VCO
考题
填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
考题
单选题在小信号放大电路中，若把集电极和发射极对调使用，则晶体管的电流放大系数将（）。A
增大B
减小C
为零D
不变
考题
单选题晶体管中的“β”参数是（）。A
电压放大系数B
集电极最大功耗C
电流放大系数D
功率放大系数
考题
单选题（）的英文缩写是GTR。A
电力二极管B
门极可关断晶闸管C
电力晶体管D
电力场效应晶体管