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绝缘材料的能带结构中禁带宽度一般大于5eV（）

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考题 关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
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考题 半导体与绝缘体有十分类似的能带机构,只是半导体的禁带宽度要窄得多。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 门座起重机的大车运行机构一般()运行。 A、能带载B、不能带载C、带载不带载都可以
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考题 导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV（）
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考题 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 下面关于卷扬机安全装的说法中，正确的是（）。A、带槽卷筒应大于卷筒宽度的10倍B、带槽卷筒应大于卷筒宽度的15倍C、无槽卷筒应大于卷筒宽度的20倍D、无槽卷筒应大于卷筒宽度的15倍
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受
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考题 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。
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考题 天府新区空间布局中的“一带”是指（）A、龙门山产业功能带B、龙泉山产业功能带C、高端服务功能集聚带D、高新技术开发功能带
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考题 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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考题 热轧板带其厚度为（），宽度为（）宽度在（）以下为窄带，宽度大于（）为宽带。
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考题 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A、低于B、等于或大于C、大于
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
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考题 汽车安全带织带的宽度必须大于（）mm。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 
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考题 单选题硅的晶格结构和能带结构分别是（）.A 金刚石型和直接禁带型B 闪锌矿型和直接禁带型C 金刚石型和间接禁带型D 闪锌矿型和间接禁带型
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考题 单选题用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。A 低于B 等于或大于C 大于
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考题 问答题什么叫能带、价带、导带和禁带？
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考题 填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
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考题 判断题发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。A 对B 错
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考题 填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
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考题 单选题在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A 禁带较窄B 禁带较宽C 禁带是间接跃迁型D 禁带是直接跃迁型
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