网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)
判断题
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
A

B


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
更多 “判断题离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。A 对B 错” 相关考题
考题 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。() 此题为判断题(对,错)。

考题 几乎所有工作人员长期暴露此环境中都不会产生不利影响的某种有毒物质在空气中的最大质量浓度成为()。A、阈限值B、安全临界浓度C、危险临界浓度D、即使危险的浓度

考题 阈限值即是几乎所有工作人员暴露此环境中都不会产生不利影响的某种有毒物质在空气中的()质量浓度。A、最大B、最小C、即时危险D、平均

考题 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A、能量B、剂量

考题 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

考题 热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。

考题 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。

考题 离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A、能量B、剂量

考题 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

考题 根据区域划分部门是应用最广泛的方法之一,几乎所有类型组织的结构中都可以找到它的踪迹。

考题 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

考题 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B

考题 单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响,主要是通过(),使得扩散系数增大。A 增加缺陷浓度B 使晶格发生畸变C 降低缺陷浓度D A和B

考题 判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。A 对B 错

考题 单选题受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是()。A 本征扩散B 非本征扩散C 正扩散D 逆扩散

考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?

考题 单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些()      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A ②④B ①③C ①④D ②③

考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数,两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错

考题 判断题根据区域划分部门是应用最广泛的方法之一,几乎所有类型组织的结构中都可以找到它的踪迹。A 对B 错

考题 判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A 对B 错

考题 填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。

考题 判断题在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A 对B 错

考题 判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。A 对B 错

考题 问答题试对比分析扩散工艺和离子注入工艺的特征和特点。

考题 问答题离子注入工艺和扩散工艺相比的优点

考题 问答题例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

考题 单选题离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小()A  离子注入B  热扩散