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判断题
离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。
A
对
B
错
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考题
单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些() ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A
②④B
①③C
①④D
②③
考题
填空题扩散的目的是为了实现对半导体掺杂,杂质扩散的深度与()有关,服从()。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散,也(),和固定杂质总量扩散,也称()。预淀积的分布是()函数,再分布扩散的杂质呈()函数分布。
考题
单选题离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小()A
离子注入B
热扩散
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