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单选题
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
A

对探伤有利

B

对探伤不利

C

半扩散角增大

D

超声波能量发散

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
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考题 说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
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考题 单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A 随频率增加、晶片尺寸减小而减小B 随频率或晶片尺寸减小而增大C 随频率或晶片尺寸减小而减小D 频率增加、晶片尺寸减小而增大
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