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判断题
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。
A

B


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考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。A对B错

考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。A对B错

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错

考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。

考题 当电容器的容量和其两端的电压值一定时,若电源的频率越高则电路的无功功率越小。

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成正比。

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。

考题 tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

考题 当电容器的电容值一定时,加在电容器两端的电压频率越大,容抗越小

考题 测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗角正切值tanδ和电容值,电容型套管的实测电容量值与产品铭牌数值或出厂试验值相比,其差值应在()范围内。

考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时,试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内,随频率的增加,tanØ值增加。当超过某一频率f0时,tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

考题 介质损耗测试主要试验步骤有()。A、将被试品断电,先充分放电后有效接地B、检查电容量及介质损耗测试仪是否正常C、根据被试品类型及内部结构选择相应的接线方式,被试品试验接线并检查确认接线正确D、设置试验仪器参数(试验电压值、接线方式),升压至试验电压后读取电容值和介损值E、降压至零,然后断开电源,充分放电后拆除接线,恢复被试设备试验前接线状态,结束试验

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ,采用的电压频率f=50Hz,电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指零,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值tanδ为()。A、0.02B、0.08C、0.3184D、1

考题 当绝缘介质一定,外加电压一定时,介质损耗电流IR的大小与介质损耗正切值tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的()。A、最大值B、最小值C、平均值D、某介于最大值与最小值之间的值

考题 当电介质一定,外加电压及频率一定时,介质损耗P与tgδ()A、成正比B、成反比C、成正弦关系D、成余弦关系

考题 单选题某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗角正切值tanδ,采用工频电压频率f=50HZ电桥内的电阻R4取3184Ω,调节电阻R3及电容C4使检流计指针为0,此时电容C4的电容量为0.08μF,则介质损耗正切值为()A 0.02B 0.08C 0.3184D 1

考题 单选题当绝缘介质一定时,外加电压一定时,介质损耗电流Ir的大小与介质损耗正切值tanδ成()A 反比B 正比C U形曲线比例关系

考题 判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A 对B 错

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