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CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
参考答案
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考题
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
问答题梁斜截面破环的主要形态有哪几种?它们分别在什么情况下发生?破环性质如何?
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