填空题刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

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填空题

刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

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考题符号“”表示工件表面是用（）的方法获得的粗糙度。A、去除材料B、不去除材料C、热轧D、冷轧

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考题机械加工的基本时间是指直接改变生产对象的（）（）表面相对位置、表面状态或材料性质等工艺过程的时间。

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考题大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔

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考题刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案

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考题可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。

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考题单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

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考题判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A 对B 错

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考题填空题刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

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考题问答题在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？

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考题填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

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考题填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。

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