可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。

考题通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A、光刻胶B、衬底C、表面硅层D、扩散区E、源漏区

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考题用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

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考题浓硫酸可以使碳钢表面产生钝化膜，因此（）。A、可以用碳钢罐储存浓硫酸B、对碳钢产生腐蚀C、碳钢对所有浓度的硫酸都具有抗腐蚀性D、不可以用碳钢罐储存硫酸

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考题在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀

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考题晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层

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考题多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅

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考题非晶硅半导体有什么特点？非晶硅是哪种半导体？

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考题以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

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考题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

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考题为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜

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考题单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅

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考题下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅

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考题刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案

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考题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构

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考题问答题二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀？

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考题问答题Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？

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考题填空题圆筒式等离子刻蚀的（），适用于（）工艺；反应离子刻蚀，（），可以用通入不同的工艺气体，实现好的选择性，适合于对（）和（）的刻蚀。

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考题问答题列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

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考题单选题Siemens Inspiration探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

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考题多选题以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）A单晶硅B多晶硅C非晶硅D微晶硅

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考题问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

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考题单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅

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考题单选题Pristina探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

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考题单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；

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考题单选题Hologic Selenia Dimensions探测器的材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

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考题多选题用于太阳能电池的半导体材料有（）A单晶硅B多晶硅C非晶硅D微晶硅

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考题单选题Crystal探测器材质（）A 非晶硅碘化铯B 非晶硒C 晶体硅碘化铯D 非晶硅硫氧化钆

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