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抑制性突触后电4．-4形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括
A.Na+，K+，尤其是K+
B.Ca2+，Cl一，尤其是Ca2+
C.Na+，Cl一，尤其是Na+
D.K+，Cl。，尤其是Cl-
E.K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
参考答案
更多 “ 抑制性突触后电4．-4形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A.Na+，K+，尤其是K+B.Ca2+，Cl一，尤其是Ca2+C.Na+，Cl一，尤其是Na+D.K+，Cl。，尤其是Cl-E.K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+ ” 相关考题
考题
抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+、Cl-，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
考题
兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致()
A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、K+，尤其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、K+、Cl-，尤其是K+E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+
考题
兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是()
A、突触后膜去极化B、都可向远端传导C、都与突触后膜对Na+通透性增加有关D、出现“全或无”式电位变化E、递质使突触后膜对某些离子通透性改变的结果
考题
抑制性突触后电位的产生，是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A．K+、Cl-，尤其是Cl-B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、K+，尤其是Na+D．Na+、Cl-、K+，尤其是K+
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。A.Na+、Cl-、K+，尤其是K+B.Ca2+K+、Cl-，尤其是Ca2+C.Na+、K+，尤其是Na+D.K+、Cl-，尤其是C1-E.K+、Cl-、Na+，尤其是Cl-
考题
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A．Na+，Cl-，K+，尤其是K+B．Ca2+，K+，Cl-，尤其是Ca2+C．Na+，K+，尤其是Na+D．K+，Cl-，尤其是Cl-E．K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ）A．Na+、K+，尤其是Na+B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+C．Na+、Cl、K+，尤其是K+D．K+、Cl-，尤其是Cl-E．K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位形成时，突触后膜通透性增加的离子是A.Na，K，尤其是K
B.Ca，Cl，尤其是Ca
C.Na，Cl，尤其是Na
D.K，Cl，尤其是Cl
E.K，Ca，Na，尤其是Ca
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加A:Na+,K+，尤其是K+
B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-，尤其是Na+
D:K+,Cl-，尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+，尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加A.Na，K，尤其是K
B.Ca，Cl，尤其是Ca
C.Na，Cl，尤其是Na
D.K，Cl，尤其是Cl
E.K，Ca，Na，尤其是Ca
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A:Na+,K+，尤其是K+
B:Ca2+,Cl-，尤其是Ca2+
C:Na+,Cl-，尤其是Na+
D:K+,Cl-，尤其是Cl-
E:K+,Ca2+,Na+，尤其是Ca2+
考题
抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A.Na，K，尤其是K
B.Ca，Cl，尤其是Ca
C.Na，Cl，尤其是Na
D.K，Cl，尤其是Cl
E.K，Ca，Na，尤其是Ca
考题
兴奋性突触后电位的形成是因为（）。A、突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高，局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高，局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
考题
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）A、K+、Cl-，尤其是K+B、Na+、Cl-，尤优其是Na+C、K+、Cl-，尤其是Cl-D、Ca2+、CI-，尤其是Ca2+E、Na+、Cl-，尤其是Cl-
考题
兴奋性突触后电位发生的机制是（）A、突触后膜主要对K+通透性增加B、突触后膜主要对Ca2+通透性增加C、突触后膜主要对Cl-通透性增加D、突触后膜主要对Mg2+通透性增加E、突触后膜主要对Na+通透性增加
考题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）A、Na+、Cl- 、K+，尤其是K+B、Ca2+、K+ 、Cl- ，尤其是Ca2+C、Na+ 、K+ ，尤其是Na+D、K+、Cl- ，尤其是Cl-E、K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
单选题抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括（ ）。A
Na＋，K＋，尤其是K＋B
Ca2＋，Cl－，尤其是Ca2＋C
Na＋，Cl－，尤其是Na＋D
K＋，Cl－，尤其是Cl－E
K＋，Ca2＋，Na＋，尤其是Ca2＋
考题
单选题关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）A
突触前轴突末梢超极化B
突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C
突触后膜去极化D
突触后膜电位负值增大，出现超极化E
突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（）A
Na+、Cl- 、K+，尤其是K+B
Ca2+、K+ 、Cl- ，尤其是Ca2+C
Na+ 、K+ ，尤其是Na+D
K+、Cl- ，尤其是Cl-E
K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
考题
单选题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致？（ ）A
Na+、K+，尤其是Na+B
Ca2+、K+、Cl一，尤其是Ca2+C
Na+、Cl—、K+，尤其是K+D
K+、Cl—，尤其是Cl—E
K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+
考题
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为（ ）。A
突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B
突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C
突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D
突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E
突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
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