考题
当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。此题为判断题(对，错)。
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
当在PN结上加正向电压时，PN结处于（ ）状态。A.击穿
B.饱和
C.截止
D.导通
考题
半导体材料做成的激光器，当激光器的PN结上外加的正向偏压足够大时，将使得PN结的结区出现了高能级粒子多、低能级粒子少的分布状态，这是粒子数反转分布状态。()
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A4B3C2D1
考题
对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。A、导通B、截止C、时通时断
考题
PN结施加正向偏压时，载流子的符合是电子从高能级跌落到低能级，以什么形式释放能量的过程？（）A、电辐射B、光辐射C、热辐射D、场辐射
考题
PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
考题
对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。A、导通B、截止C、时通时断D、不稳定
考题
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
考题
P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动。A、4B、3C、2D、1
考题
晶体二极管是由一个（）作为管芯，其最主要的电特性是（）：加正向电压时PN结处于（）状态，加反向电压PN结处于（）状态。
考题
PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
考题
PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
考题
PN结正偏时，有利于（）载流子的运动，阻碍（）载流子的运行。
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
考题
PN结中载流子的漂移运动是由于（）而产生的。
考题
PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
考题
PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
考题
PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
考题
PN结正向偏置时，处于（）状态，呈低电阻，正向电流大。
考题
填空题载流子在PN结中运动方式有（）、（）。
考题
判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。A
对B
错
考题
填空题PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
考题
单选题对于PN结，当P端接电源正极，N端接电源负极时，PN结处于（）状态。A
导通B
截止C
时通时断