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82、IGBT是一种全控型器件,其全称是什么?

A.大功率晶体管

B.门极可关断晶闸管

C.功率场效应管

D.绝缘栅双极晶体管


参考答案和解析
电压
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考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

考题 电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是()A、SCRB、GTR或BJTC、MOSFETD、IGBT

考题 具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件

考题 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

考题 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么? 

考题 普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

考题 下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

考题 GTO一种全控型电力电子器件。

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 IGBT是()型器件。A、全控B、半控

考题 下列电力电子器件属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、MOSFETE、IGBT

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

考题 门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错

考题 IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 判断题在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。A 对B 错

考题 单选题IGBT是()型器件。A 全控B 半控

考题 多选题普通晶闸管属于()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件

考题 判断题轻型高压直流输电采用开通与关断均可控制的全控型电力电子器件,目前最为常用的是IGBT器件。A 对B 错

考题 多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

考题 问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。