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影响半导体器件或者集成电路横向尺寸的工艺过程是光刻。


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考题 下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路

考题 第一台计算机采用的硬件逻辑器件是()。A半导体器件B集成电路C电子管D光电管

考题 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形

考题 器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻

考题 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。A、高分辨率B、高灵敏度C、精密的套刻对准D、大尺寸E、低缺陷

考题 按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用

考题 按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

考题 集成电路按照制造工艺可分为()。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路

考题 微电子技术的核心是()。A、电子元器件技术B、集成电路技术C、晶体管技术D、半导体技术

考题 微电子学是一门综合性很强的边缘学科,其中包括了()。A、半导体器件物理B、集成电路工艺C、化学工业D、工业自动化E、材料科学

考题 不间断电源UPS电能转换电路不论是主电路还是其他控制电路,均采用“()”。A、三极管器件B、集成电路器件C、半导体固体器件D、二极管

考题 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

考题 集成电路是把二极管、三极管、电阻、电容、电感、电位器等元器件按电路的结构要求制作在一块半导体芯片上,然后封装而成的半导体器件

考题 单选题微传感器的加工工艺不包括()。A 光刻技术B HARQ技术C 半导体掺杂技术D LIGA技术

考题 问答题按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?

考题 单选题第一台计算机采用的硬件逻辑器件是()。A 半导体器件B 集成电路C 电子管D 光电管

考题 问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?

考题 填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

考题 问答题简述光刻的工艺过程。

考题 问答题什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响?

考题 填空题集成电路的特征尺寸有时也称线宽,通常是指集成电路中半导体器件的()。

考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

考题 问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

考题 填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

考题 判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A 对B 错

考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

考题 多选题微电子学是一门综合性很强的边缘学科,其中包括了()。A半导体器件物理B集成电路工艺C化学工业D工业自动化E材料科学