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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜
A．钠离子内流
B．氯离子内流
C．钙离子内流
D．钾离子外流
参考答案和解析
D
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考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。A、突触前膜均去极化B、突触后膜均去极化C、突触前膜释放的递质性质一样D、突触后膜对离子通透性一样E、产生的突触后电位的最终效应一样
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A
兴奋性突触后电位和局部电位B
抑制性突触后电位和局部电位C
兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D
兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题抑制性突触后电位（）A
由突触前末梢递质释放减少而引起B
使突触后膜电位远离阈电位水平C
由突触后膜Na+电导增加而产生D
由突触后膜Ca2+电导增加而产生E
是一种去极化抑制的突触后电位
考题
单选题抑制性突触后电位是在突触后膜产生（）A
去极化B
超极化C
反极化D
复极化
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