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2、对于非简并半导体，导带底或价带顶附近的状态密度与能量的关系为：

A．抛物线性关系

B．线性关系

C．幂函数关系

D．指数关系

参考答案和解析
抛物线性关系
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 问答题什么叫能带、价带、导带和禁带？
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
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考题 单选题通常把服从费米分布的半导体称为（）A 简并半导体B 非简并半导体C 杂质半导体D 化合物半导体
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考题 填空题受主获取电子的能量状态，处于禁带中价带顶附近，称为（）。
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考题 填空题施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带，导带B 价带，禁带C 禁带，导带D 导带，价带
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考题 单选题重空穴指的是（）。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 问答题什么叫做价带、导带、带隙？
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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