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GTO是双极型电流驱动器件。


参考答案和解析
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考题 GTO是电压驱动型器件。()

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

考题 按驱动电路信号的性质分类,晶闸管属于()型器件。A、电流驱动B、电压驱动C、单极D、双极

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 场效应管是一种()A、电压控制器件B、电流控制器件C、双极型器件D、少子工作的器件

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

考题 IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

考题 电力电子器件GTR为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

考题 下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR

考题 电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

考题 GTO属于双极性器件。

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

考题 多选题电力电子器件GTR为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。A 对B 错

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极

考题 问答题GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?