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以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。

A．气相外延

B．液相外延

C．固相外延

D．分子束外延

参考答案和解析
气相外延
更多 “以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。A．气相外延B．液相外延C．固相外延D．分子束外延” 相关考题
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考题 光盘分为三层，由正面到背面分别为()A.透明衬底，数据层，保护层B.透明衬底，保护层，数据层C.保护层，数据层，透明衬底D.数据层，透明衬底，保护层
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考题 通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
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考题 LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
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考题 什么是衬底色设计，衬底色有什么作用？
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考题 各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A、木踢脚板以木基层为衬底B、聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C、氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D、石材踢脚板以水泥类基层为衬底E、玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
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考题 判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A 对B 错
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考题 填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
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考题 填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
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考题 多选题各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A木踢脚板以木基层为衬底B聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D石材踢脚板以水泥类基层为衬底E玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
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考题 填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。
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考题 判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A 对B 错
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考题 单选题航站楼图形导向系统的流程标志若使用彩色标志，可使用（）图形。A 白衬底、黑图形B 黑衬底、白图形C 绿衬底、白图形D 蓝衬底、白图形
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考题 问答题什么是衬底色设计，衬底色有什么作用？
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考题 判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A 对B 错
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考题 单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A 空穴移向衬底深处B 空穴移向二氧化硅层C 电子移向二氧化硅层D 电子移向衬底层深处
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考题 填空题氧化时（）称为分凝效应。B在氧化硅中的含量高于Si衬底中的含量，分凝系数（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si衬底中含量，分凝系数（）1。
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