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为了使MOS管开启，增强型NMOS管栅极相对于源极要加负电压，增强型PMOS管栅极相对于源极要加正电压。

参考答案和解析
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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
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考题 （）不是场效应管的电极.A、阳极B、源极C、漏极D、栅极
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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考题 MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
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考题 MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
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考题 要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
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考题 下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
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考题 源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
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考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
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考题 在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
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考题 功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
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考题 NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
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考题 单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A 栅极（G）B 漏极D.C C.基极D 源极（S）
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考题 问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
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考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极
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