考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
考题
二极管正向导通后，正向管压降几乎不随电流变化。
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
考题
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
考题
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
在线性检波电路中，二极管的正向导通压降是否带来检波误差？
考题
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
考题
利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
考题
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A
0.4VB
0.5VC
0.6VD
0.7V
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错