网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:
题目内容
(请给出正确答案)
单选题
其中不属于多晶硅的生产方法的是().
A
SiCl4法
B
硅烷法
C
直拉法
D
西门子改良法
参考答案
参考解析
解析:
暂无解析
更多 “单选题其中不属于多晶硅的生产方法的是().A SiCl4法B 硅烷法C 直拉法D 西门子改良法” 相关考题
考题
多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅链→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干,其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液,产生废水的工序是( )。
A. 剖方定位工序
B. 切片工序
C. 清洗工序
D. 烘干工序
考题
(2012年)多晶硅切片加工项目的生产工艺为:硅锭--刨方定位--切片---纯水清洗--电烘干,其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液,产生废水的工序是( )。A.刨方定位工序
B.切片工序
C.清洗工序
D.烘干工序
考题
多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干,其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液,产生废水的工序是()。A:剖方定位工序
B:切片工序
C:清洗工序
D:烘干工序
考题
能够从上述资料中推出的是:A.2015年1月多晶硅进口价格约为200美元/千克
B.2015年多晶硅进口金额超过25亿美元
C.2015年多晶硅进口量曾连续3个月环比下降
D.2015年有一半的月份多晶硅进口量高于1万吨
考题
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时,要计算每个电阻的阻值,那么电阻的长度是怎样计算的?()A
整个多晶硅的长度B
多晶硅中两个引线孔中心点的距离C
多晶硅中两个引线孔内侧的距离D
多晶硅中两个引线孔外侧的距离
考题
单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时,要计算每个电容的容值,那么电容的面积大小是怎样计算的?()A
第一层多晶硅的面积B
第二层多晶硅的面积C
二层多晶硅重叠后的面积
热门标签
最新试卷