考题
访谈结束后，访谈小组应该及时对访谈资料进行总结，请阐述访谈结果共享的三个步骤。
考题
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A、单晶硅刻蚀B、多晶硅刻蚀C、二氧化硅刻蚀D、氮化硅刻蚀
考题
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
考题
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
考题
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
考题
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A、多晶硅B、单晶硅C、铝硅铜合金D、铜
考题
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅
考题
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
考题
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
考题
列出并解释总需求曲线向右下方倾斜的三个原因。
考题
手机动态控制分三个步骤，依次列出（）。A、动率ORDER的计算B、测量报告的滤波C、测量报告的收集
考题
问答题定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
考题
问答题哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？
考题
问答题Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？
考题
问答题Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？
考题
问答题哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
考题
填空题刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
考题
问答题列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
考题
问答题为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？
考题
填空题晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
考题
问答题列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法？
考题
问答题列出移动客服系统投诉单在数据验证中的五个步骤，并简述每个步骤的功能。
考题
问答题列出三种以上的次生代谢产物并阐述其意义。
考题
问答题简要阐述文员工作的三个步骤，相互关系如何？